理论基石 §1.1.4光生伏特效应 在稳定条件下,m结上的光电压与流经负载的光电流的关第 系为 =1-l[exp()-1] 章 光 当I=0时,可以确定开路光电压V为 电 KT 信 技 回式中为I短路电流。 术 般来说,光生电压随光强的增加而增大,且应满物 足(禁带宽度)。但是,也有电压较高的光生伏特现象,理 这种光生电压比E/q高出好几倍,有时竟达到100V左右,基 这种现象称为反常光生伏特效应。这种效应大多发生在多础 晶体中上一页 下一页 回首页 回末页 结束 第一章 第 一 章 光 电 信 息 技 术 物 理 基 础 §1.1.4 光生伏特效应 3 回目录 在稳定条件下，pn结上的光电压与流经负载的光电流I的关 系为 当I = 0时，可以确定开路光电压Voc为 式中为Isc短路电流。 一般来说，光生电压随光强的增加而增大，且应满 足（禁带宽度）。但是，也有电压较高的光生伏特现象， 这种光生电压比Eg /q高出好几倍，有时竟达到100V左右， 这种现象称为反常光生伏特效应。这种效应大多发生在多 晶体中