P N E CNI CBO CN2 R1 1.发射结为不对称结:发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度(几 十倍到上百倍),使I》IEpI是E的主要组成部分,减 少无用成分IPp 2.基区宽度很薄,一般μm数量级,保证发射区扩散过来的自由 电子在向集电结扩散过程中仅有小部分被复合掉,绝大部分能 到达集电结。否则,若基区宽度大,发射区扩散过来的自由电 子在向集电结扩散过程中大部分被复合掉,不能到达集电结, 如同两个彼此独立的二极管失去了三极管的正向受控作用。通过上述讨论可见，三极管内部载流子的运行过程主要包括：发射 区多子自由电子通过发射结注入、基区扩散和复合、集电区收集三 个环节，在这个过程中将发射结电流IEN转化为集电结电流ICN1 ，这 个载流子流大小仅受正偏电压控制而几乎不受反偏电压控制。其他 载流子流只能分别产生很小的两个结的电流，不会转化为另一个结 的电流。它们对于正向受控作用来 说是无用的，是三极管的寄生电 流。为了减小寄生电流，保证正向受控载流子流的传输，在制造三 极管时必须满足以下条件： 1. 发射结为不对称结：发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度（几 十倍到上百倍）， 使 IEN 》IEP IEN是IE 的主要组成部分，减 少无用成分IEP 2. 基区宽度很薄，一般μm数量级，保证发射区扩散过来的自由 电子在向集电结扩散过程中仅有小部分被复合掉，绝大部分能 到达集电结。否则，若基区宽度大，发射区扩散过来的自由电 子在向集电结扩散过程中大部分被复合掉，不能到达集电结， 如同两个彼此独立的二极管失去了三极管的正向受控作用