(2)伏安特性图7-12(a)为硅光敏二极管的伏安特性，横 坐标表示加的及向偏压。当光照时，反向电流随着光照强度 的增大而增大，在不同的照度下，伏安特性曲线几乎平行，所 以只要没达到饱和值，它的输出实际上不受偏压大小的影响。 图712(b)为硅光敏晶体管的伏安特性。纵坐标为光电流， 横坐标为集电极发射极电压。从图中可见，由于晶体管的放天 作用，在同样照度下，其光电流比相应的二极管大上百倍。 2022/10/7 102022/10/7 10 (2) 伏安特性 图7-12（a）为硅光敏二极管的伏安特性，横 坐标表示所加的反向偏压。当光照时，反向电流随着光照强度 的增大而增大，在不同的照度下，伏安特性曲线几乎平行，所 以只要没达到饱和值，它的输出实际上不受偏压大小的影响。 图7-12（b）为硅光敏晶体管的伏安特性。纵坐标为光电流， 横坐标为集电极-发射极电压。 从图中可见，由于晶体管的放大 作用，在同样照度下，其光电流比相应的二极管大上百倍