(2)、伏安特性 U 通压降:硅 E 0.6-0.7V,储 管0.2=0.3V。 U 反向漏电流 死区电压硅管 (很小,pA级 0.5V储管02V。(2)、伏安特性 U I 导通压降: 硅 管0.6~0.7V,锗 管0.2~0.3V。 反向击穿电 压U(BR) 死区电压 硅管 0.5V,锗管0.2V。 I U E + - 反向漏电流 （很小，A级）