622伏安特性和主要参数 1伏安特性 般硅管导通压降约为0.7伏锗管导 锗管硅官 正向 通压降约为0.3伏。除稳压二极管外, 几十伏 反向击穿都将使二极管损坏。 U(V) 反向 2主要参数 )最大整流电流 图6.6二极管的伏安特性 超过二极管的PN结将过热而烧断。 (2)最高反向工作电压URM 二极管一旦过压击穿损坏,失去了单向导电性。 (3)最大反向电流M 这个电流愈小二极管的单向导电性愈好。温升时,kRM1.伏安特性 一般硅管导通压降约为0.7伏,锗管导 通压降约为0.3伏。除稳压二极管外， 反向击穿都将使二极管损坏。 2.主要参数 （1）最大整流电流I F 超过I F二极管的PN结将过热而烧断。 （2）最高反向工作电压URM 二极管一旦过压击穿损坏，失去了单向导电性。 （3）最大反向电流IRM 这个电流愈小二极管的单向导电性愈好。温升时，IRM 增大。 6.2.2 伏安特性和主要参数