综上所述，Y射线与物质相互作用有三种形式，当Y射线能最较小时，光电效应是主 要的，当Y射线能量达到1MV时，康普顿效应占优势，电子对效应则在Y射线能量超过 1.022MeV时才开始发生，能量越大，这个效应越显著。 由于有了光电效应、康普顿效应和电子对效应，当Y射线通过物质时，它的强度将随 穿过吸收物质厚度的增加而减弱。实验表明，当一束被准直了的窄束￥射线通过吸收物质 时，其强度是按指数规律衰减的，即 1=loe-ix (2-2-51) 式中I0为吸收物质厚度等于零时的y射线强度，I是Y射线穿过x厚度吸收物质后的强度， 为吸收物质对￥射线的吸收系致，对于不同的物质和不同的Y能量取不同的值。 二、闪烁谱仪的结构和工作原理 ,能是y射线的计数按能量的分布。测量y能增忌常用方法是利用普仪讲行 量，常用的Y谱仪主要有闪烁Y谱仪和半导体y谱仪。自六十年代以来，GeLi)和Sii) 等半导体y谱仪发展迅速，其能量分辨能力比闪烁谱仪要高得多，它的应用愈来愈广。然 而闪烁￥谱仪的分辨能力虽不及半导体谱仪，但是它探测效率高、价格较廉、使用方便， 仍有相当广泛的应用。 NaI(T1)闪烁谱仪由探 头（包括闪烁体，光电倍 分礼器 定标 增管、射极跟随器)、高 压电源、线性放大器、且 道脉冲幅度分析器（或多 道分析器) 高压电源飞 低压电源 图2-2-4闪烁谱仪框图 ,烁体发出的光子技闪烁体外的光反射层 的光集效率， 由 的接触面之间涂 硅油 出的 在光电 并的度与Y射线在闪烁 阳极接收形成申压 所以根据脉冲幅度大小 可以确定入射y射线的能量。 电压脉冲通过起阻抗匹配作用的射极跟随器， 线性脉冲放大器，经过放大和成形后输入单道脉冲幅度分析器 定标器计数。电压脉冲也可输入多指受泰由它选取一定幅度的脉州 1.闪烁体 常用的闪烁体可以分为无机闪烁体和有机闪烁体两大类。 ()无机闪烁体：无机闪烁体主要是指含有少量杂质（称为“激活剂”）的无机盐品 的映 晶体等。此外， 化每 ,以银5 综上所述，γ射线与物质相互作用有三种形式，当γ射线能量较小时，光电效应是主 要的，当γ射线能量达到1MeV时，康普顿效应占优势，电子对效应则在γ射线能量超过 1.022MeV时才开始发生，能量越大，这个效应越显著。 由于有了光电效应、康普顿效应和电子对效应，当γ射线通过物质时，它的强度将随 穿过吸收物质厚度的增加而减弱。实验表明，当一束被准直了的窄束γ射线通过吸收物质 时，其强度是按指数规律衰减的，即 I Ie x = − 0 μ (2-2-5) 式中I0为吸收物质厚度等于零时的γ射线强度，I是γ射线穿过x厚度吸收物质后的强度， μ为吸收物质对γ射线的吸收系数，对于不同的物质和不同的γ能量μ取不同的值。 二、闪烁谱仪的结构和工作原理 γ能谱是γ射线的计数按能量的分布。测量γ能谱最常用方法是利用γ谱仪进行测 量，常用的γ谱仪主要有闪烁γ谱仪和半导体γ谱仪。自六十年代以来，Ge(Li)和Si(Li) 等半导体γ谱仪发展迅速，其能量分辨能力比闪烁谱仪要高得多，它的应用愈来愈广。然 而闪烁γ谱仪的分辨能力虽不及半导体谱仪，但是它探测效率高、价格较廉、使用方便， 仍有相当广泛的应用。 NaI(Tl)闪烁谱仪由探 头（包括闪烁体，光电倍 增管、射极跟随器）、高 压电源、线性放大器、单 道脉冲幅度分析器（或多 道分析器）、定标器等组 成，其结构如图2-2-4所 示。当γ射线入射至闪烁 体时，产生的次级电子使 闪烁体分子电离和激发，退激时发出大量光子。闪烁体发出的光子被闪烁体外的光反射层 反射，会聚到光电倍增管的光阴极上。由于光电效应，光子在光阴极上打出光电子。为了 有高的光收集效率，在闪烁体与光电倍增管的接触面之间涂以硅油，这样就避免了因闪烁 体和光电倍增管表面之间存在空气层形成全反射所造成的光损失。光阴极上打出的光电子 在光电倍增管中倍增，电子数目增加几个数量级，最后被阳极接收形成电压脉冲。此电压 脉冲的幅度与γ射线在闪烁体内消耗的能量及产生的光强成正比，所以根据脉冲幅度大小 可以确定入射γ射线的能量。电压脉冲通过起阻抗匹配作用的射极跟随器，由电缆传输到 线性脉冲放大器，经过放大和成形后输入单道脉冲幅度分析器，由它选取一定幅度的脉冲 供定标器计数。电压脉冲也可输入多道脉冲幅度分析器进行记录。 1. 闪烁体 常用的闪烁体可以分为无机闪烁体和有机闪烁体两大类。 (1)无机闪烁体：无机闪烁体主要是指含有少量杂质（称为“激活剂”）的无机盐晶 体，例如以铊为激活剂的碘化钠NaI(Tl)单晶体和碘化铯CsI(Tl)单晶体，以银为激活剂的 硫化锌ZnS(Ag)多晶体等。此外，还有不掺杂质的纯晶体，如七十年代中后期新开发的锗 酸铋(BGO)单晶体。 闪 烁 体 光电 倍增管 射极 输出 器 线性脉冲 放大器 单道脉冲 幅度分析器 定标器 高压电源 低压电源 图2-2-4 闪烁谱仪框图 源