概述 用射频溅射法将立方氮化硼(C-BN)薄膜況积在 晶体硅上,薄膜成分由傅立叶变换红外吸收谱标识。 在其他条件不变的情况下,研究了衬底温度及氮气 含量对制备立方氮化硼的影响。研究结果表明,基 底温度是影响立方氮化硼含量的重要参数。C-BN 的含量并非单纯线性随衬底温度变化,在不同的N2 含量下,立方氮化硼生长有不同的最适生长的衬底 温度,并且在最适生长衬底温度附近生长的CBN 应力较低。用射频溅射法将立方氮化硼（c-BN）薄膜沉积在 晶体硅上，薄膜成分由傅立叶变换红外吸收谱标识。 在其他条件不变的情况下，研究了衬底温度及氮气 含量对制备立方氮化硼的影响。研究结果表明，基 底温度是影响立方氮化硼含量的重要参数。c-BN 的含量并非单纯线性随衬底温度变化，在不同的N2 含量下，立方氮化硼生长有不同的最适生长的衬底 温度，并且在最适生长衬底温度附近生长的c-BN 应力较低