能谱仪(EDS) ■能谱仪的关键部件是锂漂移硅半导体探测器, 习惯上记作S(L探测器。 ■工作原理:X射线光子进入S晶体内,将产生电 子一空穴对,在100K左右温度时,每产生一个 电子一空穴对消耗的平均能量为3.8eV。能量为 E的X射线光子所激发的电子一空穴对数N为 N=E/E 入射Ⅹ射线光子能量不同,所激发的电子一空穴 对数N也不同,探测器输出电压脉冲高度由N决 定 20212222021/2/22 HNU-ZLP 8 能谱仪（EDS） ◼ 能谱仪的关键部件是锂漂移硅半导体探测器， 习惯上记作Si(Li)探测器。 ◼ 工作原理：X射线光子进入Si晶体内，将产生电 子－空穴对，在100K左右温度时，每产生一个 电子－空穴对消耗的平均能量为3.8eV。能量为 E的X射线光子所激发的电子－空穴对数N为 N＝E／ 入射X射线光子能量不同，所激发的电子－空穴 对数N也不同，探测器输出电压脉冲高度由N决 定