886 核技术 第29卷 位置(图2),然后进行成像。当双晶夹角为零时 反射率达到摇摆曲线峰位,即图2中的C处,拍摄 的图像称为峰位图像;当分析晶体的入射角小于单 色器晶体的入射角,反射率达到摇摆曲线腰位(半 高宽处)时,即图2中的B处,拍摄的图像称为低 角腰位图像;当分析晶体的入射角大于单色器晶体 的入射角,反射率达到摇摆曲线腰位(半高宽处), 即图2中的D处时,拍摄的图像称为高角腰位图像; 当反射率达到摇摆曲线趾位,即图2中的A处,拍 摄的图像称为低角趾位图像;当反射率达到摇摆曲 线趾位,即图2中的E处,拍摄的图像称为高角趾 位图像 型示意图 Fig 1 Desig berimental model 2实验结果与讨论 21DEI成像过程 在DEI实验中,首先测量摇摆曲线,即改变分 析晶体与单色器晶体之间的夹角,测量反射率随双 晶夹角变化而变化的函数曲线。这个测量过程通常 是固定单色器晶体,转动(即所谓摇摆)分析晶体, 逐点测量反射率而得到摇摆曲线,如图2所示。测 得摇摆曲线后,将样品放入双晶之间的光路,并将 图2Si(1ll 模型的摇摆曲线 Fig 2 Rocking curve of perimental model for 双晶夹角分别固定在与不同的反射率相对应的角度 图3实验模型的衍射增强成像 B、D_在摇摆曲线的腰位左右两边记录的图像:A、E—在摇摆曲线的趾位左右两边记录的图像 C—在摇摆曲线的顶部记录的图像 Fig 3 DEI images of the experimental model: B, D-recorded at the middle positions on either side of the rocking curve, A,E- recorded at the toe positions on either side of the rocking curve; and C-recorded at the peak position of the rocking curve886 核 技 术 第 29 卷 图 1 实验模型示意图 Fig.1 Design of experimental model 2 实验结果与讨论 2.1 DEI 成像过程 在 DEI 实验中，首先测量摇摆曲线，即改变分 析晶体与单色器晶体之间的夹角，测量反射率随双 晶夹角变化而变化的函数曲线。这个测量过程通常 是固定单色器晶体，转动（即所谓摇摆）分析晶体， 逐点测量反射率而得到摇摆曲线，如图 2 所示。测 得摇摆曲线后，将样品放入双晶之间的光路，并将 双晶夹角分别固定在与不同的反射率相对应的角度 位置（图 2），然后进行成像。当双晶夹角为零时， 反射率达到摇摆曲线峰位，即图 2 中的 C 处，拍摄 的图像称为峰位图像；当分析晶体的入射角小于单 色器晶体的入射角，反射率达到摇摆曲线腰位（半 高宽处）时，即图 2 中的 B 处，拍摄的图像称为低 角腰位图像；当分析晶体的入射角大于单色器晶体 的入射角，反射率达到摇摆曲线腰位（半高宽处）， 即图 2 中的 D 处时，拍摄的图像称为高角腰位图像； 当反射率达到摇摆曲线趾位，即图 2 中的 A 处，拍 摄的图像称为低角趾位图像；当反射率达到摇摆曲 线趾位，即图 2 中的 E 处，拍摄的图像称为高角趾 位图像。 图 2 Si (111)+实验模型的摇摆曲线 Fig. 2 Rocking curve of the experimental model for Si (111) 图 3 实验模型的衍射增强成像 B、D—在摇摆曲线的腰位左右两边记录的图像；A、E—在摇摆曲线的趾位左右两边记录的图像； C—在摇摆曲线的顶部记录的图像 Fig.3 DEI images of the experimental model: B, D- recorded at the middle positions on either side of the rocking curve; A, E￾recorded at the toe positions on either side of the rocking curve; and C-recorded at the peak position of the rocking curve