考虑界面态时异质结的能带图: 质结的界面态主要来自组成成异质结的 晶格失配,定义晶格失配为 产生悬排建,引次界面。界面态密度Dm 会直接影响异质结的各个物理性质。另外 两 料的热膨胀系数不同和化合物半导体 中的成分元素的互扩散都会引入界面态。 两种材料的晶格常数极为接近时,晶格匹配 界面态的影响;实际上都要 考虑这个影响。有时候可加入少量杂质元素 改变晶格匹配效果,例如在S1GeS异质结 中加入C原子,1%的C可以补德91.49的Ge 所带来的压应变 a)p-n异质结 ■2.增加了界面态能级,他们将成为载流子的 非辐射复合 ■3影响界面附近的电荷分布。考虑界面态时异质结的能带图： ◼ 1.异质结的界面态主要来自组成成异质结的 晶格失配，定义晶格失配为 ◼ 2(a2 -a1 )/(a1+a2 ) 。晶格失配会在交界面 上产生悬挂建，引入界面态。界面态密度DIT 会直接影响异质结的各个物理性质。另外， 两种材料的热膨胀系数不同和化合物半导体 中的成分元素的互扩散都会引入界面态。当 两种材料的晶格常数极为接近时，晶格匹配 较好，可以不考界面态的影响；实际上都要 考虑这个影响。有时候可加入少量杂质元素 改变晶格匹配效果，例如在Si1-xGex /Si异质结 中加入C原子，1%的C 可以补偿91.4% 的Ge 所带来的压应变。 ◼ 2.增加了界面态能级，他们将成为载流子的 非辐射复合中心。 ◼ 3.影响界面附近的电荷分布