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第3真场效应管及基基本电路 式中: DSS 饱和电流,表示vs=0时的i值 Uaso夹断电压,表示ls=Ucs时b为零。 转移特性曲线如图3-3(a)所示。 为了使输入阻抗大(不允许出现栅流G),也为了使 栅源电压对沟道宽度及漏极电流有效地进行控制,PN 结一定要反偏,所以在N沟道JFT中,ls必须为负值第3章 场效应管及其基本电路 式中:IDSS——饱和电流,表示uGS =0时的iD值; UGSoff——夹断电压,表示uGS =UGSoff时iD为零。 转移特性曲线如图3–3(a)所示。 为了使输入阻抗大(不允许出现栅流iG),也为了使 栅源电压对沟道宽度及漏极电流有效地进行控制,PN 结一定要反偏,所以在N沟道JFET中,uGS必须为负值
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