拟电子彼求 第1章半导体二极管 PN结单向导电「 PN结的单向导电性 1.外加正向电压(正向偏置)— forward bias P区图N区}地姨影响教 和部分离子隽字思 荷区变窄 外电场 内电场 R—限流电阻 2.外加反向电压(反向偏置)— reverse bias R 凖场黴邡强菁蓠小粆动 内电场 I=Ⅰx≈帘间电荷区变宽。 外电场 PN结的单向导电性:正偏导通,呈小电阻,电流较大; 反偏截止,电阻很大,电流近似为零二、PN 结的单向导电性 1. 外加正向电压(正向偏置) — forward bias P 区 N 区 内电场 + − U R 外电场 外电场使多子向PN 结移动, 中和部分离子使空间电荷区变窄。 IF 限流电阻 扩散运动加强形成正向电流IF 。 IF = I多子 − I少子  I多子 2. 外加反向电压(反向偏置) — reverse bias P 区 N 区 − + U R 内电场 外电场 外电场使少子背离PN 结移动， 空间电荷区变宽。 IR PN 结的单向导电性：正偏导通，呈小电阻，电流较大; 反偏截止，电阻很大，电流近似为零。 漂移运动加强形成反向电流 IR IR = I少子  0 PN 结单向导电 第 1 章 半导体二极管