金属-氧化物-半导体场效应管 绝缘栅型场效应管 Metal Oxide semiconductor MOSFET 分为增强型>N沟道、P沟道 耗尽型→>N沟道、P沟道 耗尽型:vos=O时,存在导电沟道,D≠0 增强型:Vas=O时,没有导电沟道,i=0 D D D G oS os S N沟道P沟道N沟道P沟道 增强型 耗尽型金属-氧化物-半导体场效应管 绝缘栅型场效应管Metal Oxide Semiconductor —— MOSFET 分为 增强型 → N沟道、P沟道 耗尽型 → N沟道、P沟道 增强型： vGS = 0时， 没有导电沟道， i D = 0。 耗尽型： vGS = 0时， 存在导电沟道， i D  0。 N沟道 P沟道 增强型 N沟道 P沟道 耗尽型