Generated by Foxit PDF Creator Foxit Software ttp//www.foxitsoftware.comForevaluationonly 1、MOS器件结构 Gate GATE ource/ Drain P-TyI Regions Oxide MOS器件有四个端可以连接电枚, 分别为源,漏,栅和衬底 半导体衬底表面在栅极绝缘层以 下的部分称为沟道区,因为在 mos工作过程中会在这里形成导 电沟道 NMOS with Bulk Contact 因此,MOS在纵深方向是M-O S三层结构,在横向是源一沟 道一漏的结构 55 1、MOS器件结构  MOS器件有四个端可以连接电极， 分别为源，漏，栅和衬底  半导体衬底表面在栅极绝缘层以 下的部分称为沟道区，因为在 mos工作过程中会在这里形成导 电沟道  因此，MOS在纵深方向是M－O －S三层结构，在横向是源－沟 道－漏的结构 D S G B NMOS with Bulk Contact Generated by Foxit PDF Creator © Foxit Software http://www.foxitsoftware.com For evaluation only