B光电导探测器 机制:入射光子与半导体中的束缚电子作用, 产生电子空穴对(本征光电导)、自由电子(非本 征光电导n型)或空穴(非本征光电导p型),从 而使电导增大。 红限:光子能量大于禁带宽度。 特点:主要用作光敏电阻,响应慢,适用于直 流和低频光探测。本征半导体的禁带宽度较大, 掺杂半导体的禁带宽度较小 4.应用波段:主要在可见光和红外区域B 光电导探测器 1. 机制：入射光子与半导体中的束缚电子作用， 产生电子空穴对(本征光电导)、自由电子(非本 征光电导n型)或空穴(非本征光电导p型) ，从 而使电导增大。 2. 红限：光子能量大于禁带宽度。 3. 特点：主要用作光敏电阻，响应慢，适用于直 流和低频光探测。本征半导体的禁带宽度较大， 掺杂半导体的禁带宽度较小。 4. 应用波段：主要在可见光和红外区域