3.控制及状态线 C1:总线高8位数据有效信号BHE,输出、高电平有 效。有效时将高位数据出现在总线缓冲器的D15~D8 C9,C10:存储器读MEMR、写命令MEMW。这两 个信号对全部存储空间都有效,而 SMEMR和 SMEMW仅 对1MB以下空间有效 D1,D2:存储器16位片选信号 MEMCS16和O16位 片选信号OCS16,输入、低电平有效。 D6,D7,D5~D3:中断请求输入信号RQ15~RQ10, 输入、上沿有效。其中RQ13留给数值协处理器用,不在 总线上出现。 诗接以 退出7.1.1 3. 控制及状态线 C1：总线高8位数据有效信号BHE，输出、高电平有 效。有效时将高位数据出现在总线缓冲器的D15~D8。 C9，C10：存储器读MEMR、写命令MEMW。这两 个信号对全部存储空间都有效，而SMEMR和SMEMW仅 对1MB以下空间有效。 D1，D2：存储器16位片选信号MEMCS16和I/O16位 片选信号I/OCS16，输入、低电平有效。 D6，D7，D5~D3：中断请求输入信号IRQ15~IRQ10， 输入、上沿有效。其中IRQ13留给数值协处理器用，不在 总线上出现。 退 出