饱和区一i受yC显著控制的区域，该区域内vC的数值较 小，一般vcE<0.7V(硅管)。 此时发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 截止区 i接近零的区域，相当O的曲线的下方。 此时，发射结反偏，集电结反偏。 Ic/m 饱和区 5 IB2=80u4 放大区 ic平行于v'ce轴的区域， 放大区I1=40uA 曲线基本平行等距。 2 此时，发射结正偏，集 1g=0 截止区 电结反偏，电压大于 VCE IV 0.7V左右（硅管） 468饱和区——iC受vCE显著控制的区域，该区域内vCE的数值较 小，一般vCE＜0.7 V(硅管)。 此时发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 截止区——iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。 此时，发射结反偏，集电结反偏。 放大区——iC平行于vCE轴的区域， 曲线基本平行等距。 此时，发射结正偏，集 电结反偏，电压大于 0.7 V左右(硅管) 。 / C I mA 0 1 2 3 4 5 2 4 6 8 / V V CE 0 B I = 1 40 B I uA = 2 80 B I uA = 饱和区 放大区 截止区