极抗电蚀性能潜势的试验方案,通过在硫酸铜基液中添加明胶、添加强耐电蚀性的石墨微粉和焦磷酸盐基液中添加纳米稀土氧化物一氧化镧组成新电 解液,研究分析了基于这些电解液所电铸的宏观电极试样的耐电蚀能力、形貌特征和显微硬度等,并以耐电蚀能力为主要评价指标依次优选了上述三类 试验的工艺参数和操作条件。然后以各自优选出的工艺参数和操作条件电铸出微电极试样,并进行了电蚀性试验,以进一步分析它们的微细电铸能力和 微观”抗电蚀行为。试验结果表明,利用焦磷酸盐基液添加适量(1.52g/1)纳米氧化锎所组成的新电解液电铸出的微电极试样在微细电火花加工中表 现出优异的抗电蚀能力。第六章分析了用U-LIG技术制备的工具电极微细电火花批量加工复杂形状微小结构器件的工艺特点。初步试验研究了电 极对面积和加工面积对微细电火花批量加工型腔类和型架类结构时的加工精度、表面质量、加工速度和电极损耗的影响。结果表明:在设定加工规准的 条件下,批量加工型腔类结构的加工精度和表面质量随电极对面积的增大而提高,而批量加工型架类结构的加工精度和表面质量与电极对面积之间并没 有这种变化规律。电极对面积相同的情况下,型腔类加工的加工速度比型架类加工大,而电极损耗比型架类加工小。另外,采用反复穿打的加工方式 加工出了加工精度和表面质量都较高的不锈钢微齿轮 本文最后一章,即第七章,对本文的研究进行了总结和展望 10.期刊论文卢德江.蒋庄德. Lu dejiang. Jiang Zhuangde等离子体低温刻蚀单晶硅高深宽比结构-真空科学与技 等离子体低温刻蚀是一种针对高深宽比结构的干法刻蚀技术本文在低温刻蚀单品硅样品时得到典型的刻蚀结果为:各向异性值 >1.5pm/min,对Si02刻蚀选择比>75,说明该刻蚀方法很具竞争力通过对载片台温度、反应气体配比、腔体气压和ICP线圈功率 分析,证明低温刻蚀高深宽比硅微结构必需一定的低温和氧,同时揭示出低温刻蚀过程的主要控制因素是离子轰击而非刻蚀表面的化 过程中刻蚀滞后和凹蚀现象的产生机理进行了分析讨论,指出介电质掩蔽层的充放电效应导致了凹蚀而刻蚀滞后的诱因则与通常的 台阶对离子轰击的覆盖效应 1.杨特育高精度微光学器件激光直写光刻系统研究[期刊论文]-现代电子技术2008(24) 2.杜立群.秦江.刘冲.朱神渺.李园园SU-8胶紫外光刻的尺寸精度研究[期刊论文]-光学精密工程2007(04) 3.秦江.杜立群.刘冲.朱神渺SU-8胶微结构的尺寸公差研究[期刊论文]一传感技术学报2006(05) 4.汪潇血糖监测微系统中微针头的制作研究[学位论文]硕士2006 5.秦江SU-8胶紫外光刻理论与实验研究[学位论文]硕士2006 6.姜勇US机理及鉴码齿轮集一体化工艺研究[学位论文]硕士200 7.李雄UN-LIGA技术光刻工艺的研究[学位论文]硕士2004 本文链接http://d.g.wanfangdata.comcn/periodiCalwxjgjs200102014.aspx极抗电蚀性能潜势的试验方案，通过在硫酸铜基液中添加明胶、添加强耐电蚀性的石墨微粉和焦磷酸盐基液中添加纳米稀土氧化物——氧化镧组成新电 解液，研究分析了基于这些电解液所电铸的宏观电极试样的耐电蚀能力、形貌特征和显微硬度等，并以耐电蚀能力为主要评价指标依次优选了上述三类 试验的工艺参数和操作条件。然后以各自优选出的工艺参数和操作条件电铸出微电极试样，并进行了电蚀性试验，以进一步分析它们的微细电铸能力和 “微观”抗电蚀行为。试验结果表明，利用焦磷酸盐基液添加适量(1.5~2g/l)纳米氧化镧所组成的新电解液电铸出的微电极试样在微细电火花加工中表 现出优异的抗电蚀能力。 第六章分析了用UV-LIGA技术制备的工具电极微细电火花批量加工复杂形状微小结构器件的工艺特点。初步试验研究了电 极对面积和加工面积对微细电火花批量加工型腔类和型架类结构时的加工精度、表面质量、加工速度和电极损耗的影响。结果表明：在设定加工规准的 条件下，批量加工型腔类结构的加工精度和表面质量随电极对面积的增大而提高，而批量加工型架类结构的加工精度和表面质量与电极对面积之间并没 有这种变化规律。电极对面积相同的情况下，型腔类加工的加工速度比型架类加工大，而电极损耗比型架类加工小。另外，采用反复穿打的加工方式 ，加工出了加工精度和表面质量都较高的不锈钢微齿轮。 本文最后一章，即第七章，对本文的研究进行了总结和展望。 10.期刊论文 卢德江.蒋庄德.Lu Dejiang.Jiang Zhuangde 等离子体低温刻蚀单晶硅高深宽比结构 -真空科学与技 术学报2007,27(1) 等离子体低温刻蚀是一种针对高深宽比结构的干法刻蚀技术.本文在低温刻蚀单晶硅样品时得到典型的刻蚀结果为:各向异性值＞0.99,硅刻蚀速率 ＞1.5 μm/min,对SiO2刻蚀选择比＞75,说明该刻蚀方法很具竞争力.通过对载片台温度、反应气体配比、腔体气压和ICP线圈功率等工艺参数的系列实验 分析,证明低温刻蚀高深宽比硅微结构必需一定的低温和氧,同时揭示出低温刻蚀过程的主要控制因素是离子轰击而非刻蚀表面的化学反应.本文还对刻蚀 过程中刻蚀滞后和凹蚀现象的产生机理进行了分析讨论,指出介电质掩蔽层的充放电效应导致了凹蚀,而刻蚀滞后的诱因则与通常的刻蚀情况不同,主要是 台阶对离子轰击的覆盖效应. 引证文献(7条) 1.杨特育 高精度微光学器件激光直写光刻系统研究[期刊论文]-现代电子技术 2008(24) 2.杜立群.秦江.刘冲.朱神渺.李园园 SU-8胶紫外光刻的尺寸精度研究[期刊论文]-光学精密工程 2007(04) 3.秦江.杜立群.刘冲.朱神渺 SU-8胶微结构的尺寸公差研究[期刊论文]-传感技术学报 2006(05) 4.汪潇 血糖监测微系统中微针头的制作研究[学位论文]硕士 2006 5.秦江 SU-8胶紫外光刻理论与实验研究[学位论文]硕士 2006 6.姜勇 UQS机理及鉴码齿轮集一体化工艺研究[学位论文]硕士 2005 7.李雄 UV-LIGA技术光刻工艺的研究[学位论文]硕士 2004 本文链接：http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_wxjgjs200102014.aspx 下载时间：2010年2月15日