n-type: 10-10 no n-type 光学带隙(eV) direct: 6.0-8.0 ndirect: 5. 47 折射率 2.117(5893A) 2.417(5893A) 介电常数 4.5 电子亲和势(eV) negative negative 可掺杂类型 p-and n-type only p-type 立方氮化硼的带隙约为6.4eV,是Ⅳ族和ⅢV族化合物中带隙最宽的,可 以p型和n型掺杂,如在高温高压合成过程中添加Be可得到p型半导体,添 加S、C、Si等可得到n型半导体。 Mishima等人最早报道了在高温高压下 C-BN能够制成p-n结,并且可以在650℃的温度下工作,为c-BN在电子领域的 应用开辟了道路。c-BN可以作为电子材料制成高温、高频、大功率、抗辐射的 半导体电子器件和紫外光电子器件,如发光二极管。其电学性能见表1.3。 表1.3c-BN的电学性质 电导率(9·cm) 掺杂剂导电类型激活能(eV)晶体结构 1~5×10 p 0.19~0.23 单晶 1~10×10 n 单晶 10-7~1035 0.28~0.41 单晶 单晶 10~10 n 0.24 单晶 光学方面,由于从红外到可见光均具有很好的透光性,所以立方氮化硼还可 以作为光学器件的表面涂层,特别是一些光学窗口的涂层。 1.2立方氮化硼的制备方法、微结构及生长模型 1.2.1立方氮化硼的制备方法 1957年, Wentorf通过高温高压的方法,以类石墨的六角氮化硼为原料,在 碱金属的参与下第一次获得了立方氮化硼。理论计算和髙温髙压实验都证明 C-BN在通常条件下是稳定的,但是高温高压制备c-BN的条件十分苛刻,不n-type:103 -107 no n-type 光学带隙（eV） direct：6.0-8.0 indirect：5.47 折射率 2.117（5893Å） 2.417（5893Å） 介电常数 4.5 5.58 电子亲和势（eV） negative negative 可掺杂类型 p- and n-type only p-type 立方氮化硼的带隙约为 6.4eV，是Ⅳ族和ⅢⅤ族化合物中带隙最宽的[3]，可 以 p 型和 n 型掺杂[4]，如在高温高压合成过程中添加 Be 可得到 p 型半导体，添 加 S、C、Si 等可得到 n 型半导体[6]。Mishima[6、7]等人最早报道了在高温高压下 c-BN 能够制成 p-n 结，并且可以在 650℃的温度下工作，为 c-BN 在电子领域的 应用开辟了道路。c-BN 可以作为电子材料制成高温、高频、大功率、抗辐射的 半导体电子器件和紫外光电子器件[8]，如发光二极管。其电学性能见表 1.3。 表 1.3 c-BN 的电学性质 电导率（（Ω·cm） -1） 掺杂剂 导电类型 激活能（eV） 晶体结构 1～5×10-3 Be p 0.19～0.23 单晶 1～10×10-4 S n 0.05 单晶 10-7～10-5 C n 0.28～0.41 单晶 10-2～1 Be p 0.23 单晶 10-3～10-1 Si n 0.24 单晶 光学方面，由于从红外到可见光均具有很好的透光性，所以立方氮化硼还可 以作为光学器件的表面涂层，特别是一些光学窗口的涂层。 1.2 立方氮化硼的制备方法、微结构及生长模型 1.2.1 立方氮化硼的制备方法 1957 年，Wentorf 通过高温高压的方法，以类石墨的六角氮化硼为原料，在 碱金属的参与下第一次获得了立方氮化硼。理论计算和高温高压实验都证明 c-BN 在通常条件下是稳定的[9-11]，但是高温高压制备 c-BN 的条件十分苛刻，不