弗原創IT教育中心 3)芯片说明。 ①74LS373。74LS373是带三态缓冲输出的8D锁存器,由于片 机的三总线结构中,数据线与地址线的低8位共用P0口,因此必须 用地址锁存器将地址信号和数据信号区分开。74LS373的锁存控制 端G直接与单片机的锁存控制信号ALE相连,在ALE的下降沿锁存 低8位地址 ② EPROM2732。 EPROM2732的容量为4K×8位。4K表示有 4×1024(22×210=212)个存储单元,8位表示每个单元存储数据的 宽度是8位。前者确定了地址线的位数是12位(A0~A11),后者 确定了数据线的位数是8位(O0~07)。目前,除了串行存储器之 外,一般情况下,我们使用的都是8位数据存储器。2732采用单 +5V供电,最大静态工作电流为100mA,维持电流为35mA,读出 时间最大为250ns。2732的封装形式为DP24,管脚如图12.3所示。(3) 芯片说明。 ①74LS373。74LS373是带三态缓冲输出的8D锁存器，由于片 机的三总线结构中，数据线与地址线的低8位共用P0口，因此必须 用地址锁存器将地址信号和数据信号区分开。74LS373的锁存控制 端G直接与单片机的锁存控制信号ALE相连，在ALE的下降沿锁存 低8位地址。 ②EPROM 2732。EPROM 2732的容量为4 K×8位。4 K表示有 4×1024（22×210=212）个存储单元，8位表示每个单元存储数据的 宽度是8位。前者确定了地址线的位数是12位（A0～A11），后者 确定了数据线的位数是8位（O0～O7）。目前，除了串行存储器之 外，一般情况下，我们使用的都是8位数据存储器。2732采用单一 +5 V供电，最大静态工作电流为100 mA，维持电流为35 mA，读出 时间最大为250 ns。2732的封装形式为DIP24，管脚如图12.3所示