雪体物理学黄尾第七章半辱体电予论20050406 如图XCH007022所示 XCH007022 MEC 异质结的“注入比” E 注入到P区的电子电流密度 Ev E Jn=-qnp(eql/kgT -\yve 注入到N区的空穴电流密度:jn=-9p(e-1) 热平衡条件:n0P=NNe 同质PN结注入比:=DLnn2LDyn Jp DpLn pn Jp Dpl, 异质PN结注入比:=D2Lnn DL Un DL.N.Ey-EeDe 如果N型区的带隙宽度大于P型区带隙宽度,即使两边掺杂浓度差不多时,可以获得很高的 注入比一一决定晶体管的电流放大系数、激光器的注入效率和阈值电流。 光生伏特效应一一太阳能电池 利用扩散掺杂的方法,在P型半导体的表面形成 XCH007024 个薄的N型层,在光的照射下,在PN结及其附近 产生大量的电子和空穴对,在PN结附近一个扩散 教3返减(Nc9 ●●● 子将运动到N型区,空穴将运动到P型区,使N区 带负电、P区带正电,在上下电极产生电压-—光 生伏特效应。如图XCH07024所示。 异质结的“窗囗效应” REVISED TIME: 0S-6-2 CREATED BY XCH固体物理学_黄昆_第七章 半导体电子论_20050406 如图 XCH007_022 所示。 异质结的“注入比” 注入到 P 区的电子电流密度： n qV k T n n P L D j qn e B ( 1) 0 / = − − 注入到 N 区的空穴电流密度： p qV k T p p N L D j qp e B ( 1) 0 / = − − 热平衡条件： k T E B g n p N N e − 0 0 = − + 同质 PN 结注入比： 0 0 N P p n n p p n p n D L D L j j = ， A D p n n p p n N N D L D L j j = 异质 PN 结注入比： 0 0 N P p n n p p n p n D L D L j j = ( ) ( ) g N g P B E E n D n p k T p p n A j N D L e j D L N − = —— 如果 N 型区的带隙宽度大于 P 型区带隙宽度，即使两边掺杂浓度差不多时，可以获得很高的 注入比——决定晶体管的电流放大系数、激光器的注入效率和阈值电流。 光生伏特效应——太阳能电池 利用扩散掺杂的方法，在 P 型半导体的表面形成一 个薄的 N 型层，在光的照射下，在 结及其附近 产生大量的电子和空穴对，在 结附近一个扩散 长度内，电子－空穴对还没有复合就有可能通过扩 散达到 PN 结的强电场区域（ 结自建电场），电 子将运动到 N 型区，空穴将运动到 P 型区，使 N 区 带负电、P 区带正电，在上下电极产生电压 —— 光 生伏特效应。如图 XCH007_024 所示。 PN PN PN 异质结的“窗口效应” REVISED TIME: 05-6-2 - 2 - CREATED BY XCH