在电气击穿形成等离子体前要经历暗放电阶段,包括本底电离区、饱和区 汤森放电区和电晕放电区,如图4所示。非自持放电是指存在外致电离源的条件 下放电才能维持的现象;若去掉外致电离源的条件下放电仍能维持,则为自持放 电。放电从非自持放电转变到自持放电的过程称为气体的击穿。整个放电现象称 为汤生放电。 由于宇宙射线和地壳中放射性元素的辐射作用,气体中均具有一定量的电子 和离子,这种现象称为剩余电离。当放电管两端加上较低电压时,这部分电子与 离子会在外场作用下形成电流。如图所示,这一电流会随着放电管两端的电压 增加而增加,在T区域形成的饱和电流i,i的面密度约为10/cm2 从阴极发射的电子在电场的作用下获得足够的能量,可以在与气体分子碰撞 时产生电离,使得放电电流增加。这一过程称为α过程,由汤生第一电离系数a 来描述,α表示一个电子经过单位路程与中性气体粒子发生非弹性碰撞产生的电 子-离子数目。 随着放电管两端电压的增加,正离子在电场中加速也能获得足够的能量,可 以在与气体分子发生碰撞时使其电离。这一过程称郑β过程,由汤生第二电离系 数β来描述,B表示一个正离子经过单位路程与中性气体作非弹性碰撞产生的电子 离子对数目。 当用具有一定能量带电粒子轰击金属等物体时,也会引起电子从这些物体表 面发射出来,这种物理现象称为二次电子发射。一个正离子撞击阴极表面时平均 从阴极表面逸出的电子数目(二次电子发射),称为汤生第三电离系数y。一般 的,引起电子从阴极逸出的过程的总和都称为y过程 在汤森放电区,当电压继续增加时,可能发生两种放电情况。如果是电源的 内阻很高,从而只能提供很小的电流,放电管内不存在足够的电子以实现击穿气 体,放电管仍处于只有很小电晕点的电晕区,或在电极上有出现扇形电晕放电 如果电源内阻很低,电流随电压快速增加,管内气体就会在击穿电压处被击穿, 放电将从暗放电区转移到正常辉光放电区11 在电气击穿形成等离子体前要经历暗放电阶段，包括本底电离区、饱和区、 汤森放电区和电晕放电区，如图4所示。非自持放电是指存在外致电离源的条件 下放电才能维持的现象；若去掉外致电离源的条件下放电仍能维持,则为自持放 电。放电从非自持放电转变到自持放电的过程称为气体的击穿。整个放电现象称 为汤生放电。 由于宇宙射线和地壳中放射性元素的辐射作用，气体中均具有一定量的电子 和离子，这种现象称为剩余电离。当放电管两端加上较低电压时，这部分电子与 离子会在外场作用下形成电流。如图4所示，这一电流会随着放电管两端的电压 增加而增加，在T0区域形成的饱和电流i0，i0的面密度约为10-12A/cm2 . 从阴极发射的电子在电场的作用下获得足够的能量，可以在与气体分子碰撞 时产生电离，使得放电电流增加。这一过程称为过程，由汤生第一电离系数 来描述，表示一个电子经过单位路程与中性气体粒子发生非弹性碰撞产生的电 子-离子数目。 随着放电管两端电压的增加，正离子在电场中加速也能获得足够的能量，可 以在与气体分子发生碰撞时使其电离。这一过程称为过程，由汤生第二电离系 数来描述，表示一个正离子经过单位路程与中性气体作非弹性碰撞产生的电子 -离子对数目。 当用具有一定能量带电粒子轰击金属等物体时，也会引起电子从这些物体表 面发射出来，这种物理现象称为二次电子发射。一个正离子撞击阴极表面时平均 从阴极表面逸出的电子数目（二次电子发射），称为汤生第三电离系数 。一般 的, 引起电子从阴极逸出的过程的总和都称为  过程。 在汤森放电区，当电压继续增加时，可能发生两种放电情况。如果是电源的 内阻很高，从而只能提供很小的电流，放电管内不存在足够的电子以实现击穿气 体，放电管仍处于只有很小电晕点的电晕区，或在电极上有出现扇形电晕放电； 如果电源内阻很低，电流随电压快速增加，管内气体就会在击穿电压处被击穿， 放电将从暗放电区转移到正常辉光放电区