解由图题4.3.3可见,它是P沟道增强型 MOSFET,其Vr=-4V NMOS 耗尽型 增强型 N沟道JFET PMOS P沟道JFET PMOS 增强型耗尽型 图解4.3.2 图题4.3.3 4.3,4四个FET的转移特性分别如图题4.3.4a、b、c、d所示,其中漏极电流i的方向是它 的实际方向。试问它们各是哪种类型的FET? 图题4.3.4 解由图题4.3.4可见:图a为P沟道JFET;图b为N沟道耗尽型 MOSFET;图c为P沟 道耗尽型 MOSFET;图d为N沟道增强型 MOSFET。 4.4.1增强型FET能否用自偏压的方法来设置静态工作点?试说明理由。 解由于增强型MOS管在v=0时,i=0(无导电沟道),必须在|us>1V+(Vr为开 54