6晶体长大的方式: (1)平面状长大 解释:正温度梯度下,界面上局部微小区域有偶尔冒出 而伸入到过冷度较小的L中时,它的长大会减慢,甚至 停止,周围部分会赶上,冒出部分消失,L界面始终保 持平面状 (2)树枝状长大 6解释:负温度梯度下,界面上局部微小区域有偶尔冒出 而伸入到L中时,△T增加凸出部分生长加快,形成晶轴, 同时这些晶轴还可产生二次晶轴形成树枝状形态。 上一级晶体长大的方式： ⑴ 平面状长大 解释：正温度梯度下，界面上局部微小区域有偶尔冒出 而伸入到过冷度较小的L中时，它的长大会减慢，甚至 停止，周围部分会赶上，冒出部分消失，L∕S界面始终保 持平面状。 ⑵ 树枝状长大 解释：负温度梯度下，界面上局部微小区域有偶尔冒出 而伸入到L中时，△T增加凸出部分生长加快，形成晶轴， 同时这些晶轴还可产生二次晶轴形成树枝状形态。 上一级