图4a,c,e)。饵对于操作反射111a,335a及33ia是不可见的，gb=0(见图4b,d,f)。 由此可以判定其柏氏矢量为a/2〔110).。位错线的真实方向，应是相应于4个入射电 子束方向的各自的晶带轴〔611).、〔320)，〔931)，和〔311〕，的迹线的共同交点。 其它界面位错的待性见表1所列。所观察到的界面位错，几乎均以刃型分量为主，即使 从位错线的投影方向和柏氏矢量之关系的定性判断，也能肯定这一点。 200 20 nm 图4 在370℃形成的贝氏体/奥氏体界面位错 Fig.4STEM micrographa of bainite/austenite interface dislocations formed at 370C.The disloesrione are vinible for the reflections 200a,022a.131a;but invisiblo for the reflections 111a,335a,and 331a.The Burgers vector of interface dislocation is a/2(110). 在观察界面位错组态时，还可以发现如图5所示的“台阶”（见图5中箭头所示）。图5 的入射电子束方向为C101),/C111)6,位错的投影方向接近9C121),。而台阶的投影方向 为g〔111).。其投彩高度约在30~70A范围，比结构台阶高-个数量级，而比扩散台阶则 小一个数量级。图5b所示为另-一形态的界面台阶，如箭头所指之处，其人射电子束方向 为C211)6。位错投影方向为gC222), 28图 。 ，亡， 。 俱对子操作反射 几 ，矛百 及 应 是 不可见的 ， 由此可以判 定其柏氏钾最为 邝 〔 子束方向的各 自的晶带轴 亡 〕 。 〕 。 。 位错线的真实方向 · 见图 ， ， 。 应是相应于 个人 射 电 。 、 〔 匆 〕 ‘ 〔 。 〕 和 〔 〕 的迹线 的共同交点 其它界面位错的格性见表 所列 。 所观察到 的界面位错 ， 几 乎均以 刃型分量为主 ， 即使 从位错线的投影方向和柏 氏矢量之关系的定性判断 ， 也能肯定这一 点 。 图 在 ℃ 形成的贝氏体 奥氏体界面位错 ‘ 一 ， 名 七。 ‘ 一 ‘ ‘ ℃ ， 一 ，。 ， 一 ‘ 。 卜 。 。 。 。 。 。 ， ， 及 。 几 。 ‘ ， ‘ 。 里。 ， 一 ， ， 几 ‘ 。 。 。 ， 。 。 。 。 、 〔 几〕 ， 在观察界面位错组态 时 ，还可以 发现如图 所示 的 “ 台阶 ” 见图 中箭头所示 。 图 的人射电子束方向为〔汤 〕 。 〔 〕 。 ， 位错的投影方向接近 〔 〕 。 而 台阶的投 影方 向 为 〔 〕 。 其投影高度约在 范 围 ， 比结构台阶 高一 个数量级 ， 而 比扩散台阶则 小一 个数量级 。 图 所示 为另一 形态 的界面台阶 ， 如 箭头所 指之处 ， 其入射电子 束 方 向 为〔 丁〕 。 位错投影方 向为夕〔 圣〕