只要保证Vc>7V、VG<-3V,N沟道EMOS管能够可 靠得导通和断开。 若MOS管工作在非饱和区，而VDs为小值时，即VDs0 Ron- Ln CoxW(VGs -VGS(th)) 若设式中，VGs≈VGH一V,(假设y接在源极端) M.CoW(WGH-y-Vas） 只要保证 VG > 7V、VG < -3V ，N沟道EMOS管能够可 靠得导通和断开。 若MOS管工作在非饱和区，而VDS 为小值时，即 VDS ≠0 ( ) n ox GS GS(t h) on C W v V l R − =  若设式中， （假设v vGS VGH − vI I 接在源极端） ( ) n ox GH I GS(t h) on C W V v V l R − − = 