41.3半导体中载流子的散射机制 散射是影响载流子输运能力的主要因素之一,不同的散射机制,对载 流子输运能力(迁移率)的影响显示不同的温度关系。 平均自由程( Mean free path)和平均自由时间 载流子热运动时,发生两次散射之间所运动的平均距离(统计平均值)。 载流子在S中的平均自由程约为1mm-1pm。设其平均自由程为1μm,则其 平均自由运动时间-1ps。 10-cm I p sec 10 cm/sec散射是影响载流子输运能力的主要因素之一，不同的散射机制，对载 流子输运能力（迁移率）的影响显示不同的温度关系。 平均自由程（Mean free path l）和平均自由时间 载流子热运动时，发生两次散射之间所运动的平均距离（统计平均值）。 载流子在Si中的平均自由程约为1nm~1 μ m。设其平均自由程为 1 μ m，则其 平均自由运动时间~1ps 。 sec1 sec/10 10 7 5 p cm cm m ≈ = − τ 4.1.3 半导体中载流子的散射机制 半导体中载流子的散射机制