(2)反向击穿电压VBR和最大反向工作电压RM 极管反向电流急剧增加时对应 的反向电压值称为反向击穿电压VR。为安全计,在实际工作时,最大反向工作电压EM 般只按反向击穿电压VBR的一半计算 (3)反向电流kR-—在室温下,在规定的反向电压下,一般是最大反向工作电压下的 反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级:锗二极管在微安(μA)级 (4)正向压降一在规定的正向电流下,二极管的正向电压降。小电流硅二极管的 正向压降在中等电流水平下,约0.6~0.8V:锗二极管约0.2~0.3V (5)动态电阻—反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然,r与工作电流的大 小有关,即 r =AVE/AF (6)半导体二极管的温度特性 温度对二极管的性能有较大的影响,温度升高时,反向电流将呈指数规律增加,如硅 二极管温度每増加8℃,反向电流将约増加一倍;锗二极管温度每增加12℃,反向电流大 约增加一倍。另外,温度升高时,二极管的正向压降将减小,每增加1℃,正向压降V(a) 大约减小2mV,即具有负的温度系数。这些可以从图所示二极管的伏安特性曲线上看出。 72T1 2271 温度对二极管伏安特性曲线的影响 1.2.4半导体二极管的型号 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下: 2AP9 用数字代表同类型器件的不同型号 用字母代表器件的类型,P代表普通管.9 (2) 反向击穿电压 VBR 和最大反向工作电压 VRM——二极管反向电流急剧增加时对应 的反向电压值称为反向击穿电压 VBR。为安全计，在实际工作时，最大反向工作电压 VRM 一般只按反向击穿电压 VBR的一半计算。 (3) 反向电流 IR——在室温下，在规定的反向电压下，一般是最大反向工作电压下的 反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(A)级。 (4) 正向压降 VF——在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的 正向压降在中等电流水平下，约 0.6～0.8 V；锗二极管约 0.2～0.3 V。 (5)动态电阻rd——反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然， rd与工作电流的大 小有关，即 rd =VF /IF （6）半导体二极管的温度特性 温度对二极管的性能有较大的影响，温度升高时，反向电流将呈指数规律增加，如硅 二极管温度每增加 8℃，反向电流将约增加一倍；锗二极管温度每增加 12℃，反向电流大 约增加一倍。另外，温度升高时，二极管的正向压降将减小，每增加 1℃，正向压降 VF(Vd) 大约减小 2mV，即具有负的温度系数。这些可以从图所示二极管的伏安特性曲线上看出。 温度对二极管伏安特性曲线的影响 1.2.4 半导体二极管的型号 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 2 A P 9 用数字代表同类型器件的不同型号. 用字母代表器件的类型，P 代表普通管