半导体制冷的金硅面垒半导体α谱仪的能量刻度曲线 最小二乘法 6.5距离:15mm:1.87keV/道;FWHM=12.2keV 6.115 6.071 >2 5 239Pu5.305x 5.486 5.157 7 N 241Am R>0.99 4.787 100 150 200 250 道数 对测量点进行线性拟和可得到能量刻度关系式E=A+Bh, 线性拟和的相关系数体现了系统线性的好坏R→1。 作业:如何用语言来准确的叙述怎样进行能量刻度?对测量点进行线性拟和可得到能量刻度关系式E＝A＋Bh， 线性拟和的相关系数体现了系统线性的好坏R1。 最小二乘法 半导体制冷的金硅面垒半导体α谱仪的能量刻度曲线 R>0.99 作业：如何用语言来准确的叙述怎样进行能量刻度？