置为固相原子所占据。但由于过渡层很薄,因此从宏观来看,界面显得平直,不 出现曲折的小平面。 三、晶核长大机制 1.垂直生长 对于租糙界面,由于界面上约有一半的原子位置空着,故液相的原子可以进 入这些位置与晶体结合起来,晶体便连续地向液相中生长,故这种生长方式为垂 直生长。垂直长大时只须克服原子间结合力,而无其他能量障碍,而且在添加位 置方面没有限制,长大速度很快 2.二维形核 维晶核是指一定大小的单分子或单原子的平面薄层。若界面为光滑界面 维晶核在相界面上形成后,液相原子沿着二维晶核侧边所形成的台阶不断地附 着上去,使此薄层很快扩展而铺满整个表面(见图6.16),这时生长中断,需在此 界面上再形成二维晶核,又很快地长满一层.如此反复进行。晶核以这种机制长 大时,每形成一个二维晶核都需一定的形核功,这使晶核只能以较低的速度长大 图6.16二维晶核机制示意图 藉螺型位错生长 若光滑界面上存在螺型位错时,垂直于位错线的表面呈现螺旋形的台阶,且 不会消失。因为原子很容易填充台阶,而当一个面的台阶被原子进入后,又出现 螺旋型的台阶。如图所示。晶核以这种机制长大时,没有附加的能量障碍,但界 面上的缺陷所能提供的、向界面上添加原子的位置甚为有限,所以长大速度比垂 直长大时低。 Chap2 第10页Chap2 第10页 置为固相原子所占据。但由于过渡层很薄，因此从宏观来看，界面显得平直，不 出现曲折的小平面。 三、晶核长大机制 1．垂直生长 对于租糙界面，由于界面上约有一半的原子位置空着，故液相的原子可以进 入这些位置与晶体结合起来，晶体便连续地向液相中生长，故这种生长方式为垂 直生长。垂直长大时只须克服原子间结合力,而无其他能量障碍，而且在添加位 置方面没有限制，长大速度很快。 2．二维形核 二维晶核是指一定大小的单分子或单原子的平面薄层。若界面为光滑界面， 二维晶核在相界面上形成后，液相原子沿着二维晶核侧边所形成的台阶不断地附 着上去，使此薄层很快扩展而铺满整个表面(见图 6.16)，这时生长中断，需在此 界面上再形成二维晶核，又很快地长满一层．如此反复进行。晶核以这种机制长 大时，每形成一个二维晶核都需一定的形核功，这使晶核只能以较低的速度长大。 3．藉螺型位错生长 若光滑界面上存在螺型位错时，垂直于位错线的表面呈现螺旋形的台阶，且 不会消失。因为原子很容易填充台阶，而当一个面的台阶被原子进入后，又出现 螺旋型的台阶。如图所示。晶核以这种机制长大时，没有附加的能量障碍，但界 面上的缺陷所能提供的、向界面上添加原子的位置甚为有限，所以长大速度比垂 直长大时低