电子移动速度主要由反型区的漂移运动决定。所以,将以vs-Vtn取代线性区电流公式中的 vs得到饱和区的电流一电压表达式: Vos - v (3)截止区:VgVn≤0 A=0 (4)击穿区:电流突然增大,晶体管不能正常工作 饱和区 输出特性曲线 转移特性曲线 S D Vas-(Ves-VIn 二、PMOS管IV特性 P管的工作过程与N管是相似的,只是开启电压Vp为负值,电流Ls也与N管电流方 向相反。P管工作时的电压偏置条件如图所示,只要将前面推导的电流一一电压表达式中加 上绝对值符号就可以用于P管 线性区:Ls=B|vs|(|Vgs|-|Vtp|-|vas|/2) 饱和区:I=(B/2)(lvgs|-|vtpl)2 N-Si衬底电子移动速度主要由反型区的漂移运动决定。所以，将以 Vgs-Vtn取代线性区电流公式中的 Vds得到饱和区的电流—电压表达式： （3）截止区：Vgs-Vtn≤0 Ids=0 （4）击穿区：电流突然增大，晶体管不能正常工作。 二、PMOS 管 I~V 特性 P 管的工作过程与 N 管是相似的，只是开启电压 Vtp 为负值，电流 Ids 也与 N 管电流方 向相反。P 管工作时的电压偏置条件如图所示，只要将前面推导的电流——电压表达式中加 上绝对值符号就可以用于 P 管。 线性区：Isd=βp|Vds|(|Vgs|-|Vtp|-|Vds|/2) 饱和区：Isd=(βp/2)(|Vgs|-|Vtp|)² ( ) 2 Vgs Vtn 2 βn Ids − = L S D Vds Vds-(Vgs-Vtn) Vgs-Vtn |Ids | 输出特性曲线 | Vds | 0 线性区 饱和区 |Vg5| |Vg4| |Vg3| |Vg2| |Vg1| Vgs-Vt<0 0 Vt Vgs 转移特性曲线 Ids -Vgs G N-Si 衬底 S D Isd=-Ids Ids Vdd P P -Vds