2、(-B。)∥D电软 m电轨 F。+Fnm=mo2r o个 △Pm Pm电轨个 附加磁矩△Pm电I(-B) B 结论:电子在外磁场中,附加磁矩△P电∥(-B,) 四、抗磁性 Pm分=0 △Pn电I(-B), Pm分 △Pn分=∑△P电(-B,) B (a (b), (c) (d) B=-B。+B,B<B。,4,<1 分子附加磁矩:抗磁效应 顺磁质:△P分<Pm分,抗磁效应被顺磁效应所掩盖 总结:P分在外磁场中取向变化→顺磁效应 分子附加磁矩△卫分→抗磁效应 户分≠0的磁介质,△卫分<户分,顺磁性 m分=0的磁介质,△P分,抗磁性 第3节 日的安培环路定律 B。=4onl, n B.di=Bab =to(nabl +isab), =uo(nl is)ab B=Mo(nl+is) B-4nl+i2=4 B。4onl Ho(nl+is)=Hounl,Bdi=gounlab nlab=∑1传,h4,=:磁导率 fE-i=空e,5aW-adi-∑e 22 2、( ) // B0 Pm电轨 Pm电轨 F F m r e m 2 电 Pm Fm 电轨 Pm Fe 附加磁矩 电 // Pm ( B0) B0 结论:电子在外磁场中,附加磁矩 电 // Pm ( B0) 四、抗磁性 分 0 Pm 电 // , Pm ( B0) Pm分 i B0 分 电 // Pm Pm ( B0) I I B0 S I B I (a) (b), (c) (d) B = + , , B0 B B B0 1 r 分子附加磁矩:抗磁效应 顺磁质: Pm分 Pm分 ,抗磁效应被顺磁效应所掩盖 总结: Pm分 在外磁场中取向变化 顺磁效应 分子附加磁矩 Pm分 抗磁效应 Pm分 0的磁介质, ,顺磁性 Pm分 Pm分 Pm分 0 的磁介质, ,抗磁性 Pm分 第 3 节 H 的安培环路定律 B nI , 0 0 n S i B dl Bab L = ( ) , 0 nabI iS ab r = 0 (nI iS )ab , ( ) 0 S B nI i I r S nI nI i B B 0 0 0 ( ) 0 (nI iS ) 0rnI , = L B dl nI ab 0r , :磁导率 L nI ab I传 0r = , = L B dl L I传 L B dl ( / ) L I传 a b d c