2、(-B。)∥D电软 m电轨 F。+Fnm=mo2r o个 △Pm Pm电轨个 附加磁矩△Pm电I(-B) B 结论：电子在外磁场中，附加磁矩△P电∥(-B,) 四、抗磁性 Pm分=0 △Pn电I(-B), Pm分 △Pn分=∑△P电(-B,) B (a (b), (c) (d) B=-B。+B,B<B。,4,<1 分子附加磁矩：抗磁效应 顺磁质：△P分<Pm分，抗磁效应被顺磁效应所掩盖 总结：P分在外磁场中取向变化→顺磁效应 分子附加磁矩△卫分→抗磁效应 户分≠0的磁介质，△卫分<户分，顺磁性 m分=0的磁介质，△P分，抗磁性 第3节 日的安培环路定律 B。=4onl, n B.di=Bab =to(nabl +isab), =uo(nl is)ab B=Mo(nl+is) B-4nl+i2=4 B。4onl Ho(nl+is)=Hounl,Bdi=gounlab nlab=∑1传，h4,=:磁导率 fE-i=空e,5aW-adi-∑e 22 2、( ) // B0   Pm电轨  Pm电轨  F F m r e m 2      电 Pm   Fm  电轨  Pm Fe 附加磁矩 电 // Pm   （ B0）   B0  结论：电子在外磁场中，附加磁矩 电 // Pm   （ B0）   四、抗磁性 分  0 Pm  电 // ， Pm   （ B0）   Pm分   i B0   分   电 // Pm Pm   （ B0）   I I B0  S I B  I (a) (b)， (c) (d) B = + ， ，  B0  B  B  B0 1 r 分子附加磁矩：抗磁效应 顺磁质： Pm分 Pm分 ，抗磁效应被顺磁效应所掩盖     总结： Pm分 在外磁场中取向变化 顺磁效应   分子附加磁矩 Pm分 抗磁效应    Pm分  0的磁介质， ，顺磁性  Pm分 Pm分     Pm分  0 的磁介质， ，抗磁性  Pm分   第 3 节 H 的安培环路定律  B nI ， 0  0 n S i B dl Bab L      = ( ) ， 0 nabI  iS ab r = 0 (nI  iS )ab ， ( ) 0 S B   nI  i I r S nI nI i B B       0 0 0 ( ) 0 (nI  iS )  0rnI ， =   L B dl   nI ab 0r   ， ：磁导率 L nI ab I传 0r   = ， =   L B dl    L  I传   L B dl   ( / )  L I传  a b d c