全国2006年4月高等教育自学考试 电子技术基础(一)试题 课程代码:02234 、单项选择题(本大题共16小题,每小题2分,共32分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括 号内。错选、多选或未选均无分。 1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的( A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素 2.理想二极管构成的电路如题2图,其输出电压uo为( A.-6V B. OV C.+3V D.+9V 9V 题2图 3.某锗三极管测得其管脚电位如题3图所示,则可判定该管处在( 放大状态 -10V B.饱和状态 C.截止状态 0.3V D.无法确定伏态 0V题3图 4.场效应管的转移特性如题4图所示,则该管为( A.P沟道增强型FET B.P沟道耗尽型FET C.N沟道增强型FET D.N沟遭耗尽型FEI 浙02234#电子技术基础(一)试题第1页共8页浙 02234 # 电子技术基础（一）试题 第 1 页 共 8 页 全国 2006 年 4 月高等教育自学考试 电子技术基础（一）试题 课程代码：02234 一、单项选择题（本大题共 16 小题，每小题 2 分，共 32 分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括 号内。错选、多选或未选均无分。 1．要得到 P 型杂质半导体，在本征半导体硅或锗的晶体中，应掺入少量的（ ） A．三价元素 B．四价元素 C．五价元素 D．六价元素 2．理想二极管构成的电路如题 2 图，其输出电压 u0 为（ ） A．-6V B．0V C．+3V D．+9V 3．某锗三极管测得其管脚电位如题 3 图所示，则可判定该管处在（ ） A．放大状态 B．饱和状态 C．截止状态 D．无法确定伏态 4．场效应管的转移特性如题 4 图所示，则该管为（ ） A．P 沟道增强型 FET B．P 沟道耗尽型 FET C．N 沟道增强型 FET D．N 沟遭耗尽型 FEI