第2章80C51的结构和原理 《单片机原理及应用技术》 (2)该系列生产工艺有两种： 一是HMOS工艺（高密度短沟道MOS工 艺)。二是CHMOS工艺（互补金属氧化物 的HMOS工艺) CHMOS是CMOS和HMOS的结合，既保 持了HMOS高速度和高密度的特点，还具有 CMOS的低功耗的特点。在产品型号中凡带 有字母“C的即为CHMOS芯片，CHMOS 芯片的电平既与TTL电平兼容，又与CMOS 电平兼容。 以（2）该系列生产工艺有两种： CHMOS是CMOS和HMOS的结合，既保 持了HMOS高速度和高密度的特点，还具有 CMOS的低功耗的特点。在产品型号中凡带 有字母“C”的即为CHMOS芯片，CHMOS 芯片的电平既与TTL电平兼容，又与CMOS 电平兼容。 一是HMOS工艺（高密度短沟道MOS工 艺）。二是CHMOS工艺（互补金属氧化物 的HMOS工艺）