第一章半导体物理基础 常见光学半 导体的能带 信息 迁移率 晶体 热胀系数 族 晶体 能带 A(A) (cm2/V-s) 结构 (106C) E(ev) 类型 Eo x(ev) 电子 空穴 D 5.931 2.33 1.11 间接 1350 4800 12.0 4.01 IV Ge D 5.658 5.75 0.66 间接 3600 1800 16.0 4.13 III-V AlAs ZB 5.661 5.2 2.15 间接 280 10.1 AlSb ZB 5.136 3.7 1.6 间接 900 400 10.3 3.6 GaP ZB 5.451 5.3 2.25 间接 300 150 8.4 3.0～4.0 GaAs ZB 5.654 5.8 1.43 直接 8000 300 11.5 3.63-4.07 GaSb ZB 6.095 6.9 0.68 直接 5000 1000 14.8 4.06 InP ZB 5.869 4.5 1.27 直接 4500 100 12.1 4.40 InAs ZB 6.058 5.3 0.36 直接 30000 450 12.5 4.90 InSb ZB 6.479 4.9 0.17 直接 80000 450 15.9 4.59 II-VI ZnS WZ 3.814 6.2～6.5 3.58 直接 140 8.3 3.9 ZnSe ZB 5.667 7.0 2.67 直接 530 2 9.1 4.09 ZnTe ZB 6.103 8.2 2.26 直接 530 0 10.1 3.53 Cds WZ 4.137 4.0 2.42 直接 350 15 10.3 4.04.79 CdSe WZ 4.298 4.8 1.7 直接 650 10.6 3.934.95 CdTe ZB 6.477 1.45 直接 1050 90 9.6 4.28 D: 金刚石结构，ZB: 闪锌矿结构，WZ: 纤维矿结构第一章 半导体物理基础 常见光学半 导体的能带 信息