第一章半导体物理基础 除此之外 半导体固溶体材料 草得 1.二元合金 迁移率 晶体 热胀系数 能带 族 晶体 A(A) E(ev) (cm2/V-s) v(ev) Ge,Si1-x 化合物 编号 固溶体 直接带隙宽度E。(eV) 间接带隙宽度E,(eV) E E 2.三元固溶体 Si Al,In-P 1.351+2.23x Ge 1.424+1.247x I-V (0<x<0.45) A.B1-C AlAs 2 Al Ga-As 1.424+1.247x+1.147(x-0.45)2 1.900+0.125 AISb (0.45<x<1.0) x+0.143x2 1.708+0.642x AC D1-x GaP 3 Al,In-As 0.360+2.012x+0.698x2 GaAs 4 Al,Ga-Sb 0.726+1.129x+0.368x2 1.020+0.492 0.799+0.746x GaSb x+0.077x2 +0.334x2 ALxGa1-xAs 5 InP Al,In-Sb 0.172+1.621x+0.43x2 6 Ga,In-P 1.351+0.643x+0.786x2 InAs 7 Ga In-As 0.360+1.064x 3.四元固溶体 InSb 8 Ga,InSb 0.172+0.139x+0.415x2 II-VI ZnS 9 GaP ASI= 1.424+1.150x+0.176x2 AxB1-C,D1- ZnSe 10 GaP Sb 0.726-0.502x+1.2x2 ZnTe 11 InP,AS= 0.360+0.891x+0.101x2 Cds 12 InAs,Sbi-x 0.18-0.41x+0.58x2 GaxIn1-xPyAS1-y CdSe WZ 4.298 4.8 1.7 直接 650 10.6 3.934.95 CdTe ZB 6.477 1.45 直接 1050 90 9.6 4.28 D: 金刚石结构，ZB:闪锌矿结构，WZ:纤维矿结构 (Al:Ga1-x)yIni-P,ASi-y第一章 半导体物理基础 常见光 学材料 除此之外 半导体固溶体材料 2.三元固溶体 AxB1-xC ACxD1-x 3.四元固溶体 AxB1-xCyD1-y 1.二元合金 GexSi1-x ALxGa1-xAs GaxIn1-xPyAs1-y (AlxGa1-x)yIn1-yPyAs1-y