氢气氛区熔硅单晶热处理快阳形成机理 图·版 照片11000°C热处理1小时的缺陷金相形貌表面是(111) ×200 照片21000°C热处理1小时的x射线形貌相、 缺陷集中在晶体的中部，衍射晶面为(220) ×(1.5) 6组气氛区络硅单晶热处理缺陷形成机理 版 照片 “ 热处理 小时的 缺陷金相形貌 表面 是 照 片 ” 热 处理 小时的 射 线形 貌相 、 缺陷集 中在 晶体的 中部 ， 衍射 晶面 为