>电容器常用材料 (1)瓷介电容器 CC一高频瓷介电容器；（通常在1~6800P℉） CT一低频瓷介电容器；（通常在10P~4.7uF) (2)薄膜电容器 CBB一金属化聚丙烯薄膜电容器； PS一聚苯乙烯电容器； (3)铝电解质电容器 CD××一铝电解质电容器（通常在0.47~100000uF)。 (4)钽电解电容器 CA一钽电容（通常在0.1~1000μF)；内部没有电解液，用钽粉。 (5) 云母电容器 CY一云母电容（通常在10~68000PF)。 (6)涤纶电容器 CL一涤纶电容（聚酯薄膜，通常在40P℉~4uF)。 (7)独石电容器 CS一独石电容（陶瓷，通常在10P℉~10uF) (8)固态电容器 是高分子固态有机半导体器件，有极性电解电容器。应用于DVD、 计算机主板、显卡、投影机等。容量：1~2700uF;额定电压2~35V。➢ 电容器常用材料 （1）瓷介电容器 CC—高频瓷介电容器；（通常在1～6800PF） CT—低频瓷介电容器；（通常在10P～4.7µF） （2）薄膜电容器 CBB—金属化聚丙烯薄膜电容器； PS—聚苯乙烯电容器； （3）铝电解质电容器 CD××—铝电解质电容器（通常在0.47～100000µF）。 （4）钽电解电容器 CA—钽电容（通常在0.1～1000µF）；内部没有电解液，用钽粉。 （5）云母电容器 CY—云母电容（通常在10～68000PF）。 （6）涤纶电容器 CL—涤纶电容（聚酯薄膜，通常在40PF～4µF）。 （7）独石电容器 CS—独石电容（陶瓷，通常在10PF～10µF） （8）固态电容器 是高分子固态有机半导体器件，有极性电解电容器。应用于DVD、 计算机主板、显卡、投影机等。容量：1～2700µF；额定电压2～35V