中国科学技术大学物理系微电子专业 ③接触电势差 ◆PN结的势垒高度一eVD(qVb 接触电势差一VD(Vbi ◆对非简并半导体,室温附近时满足饱 和电离近似,接触电势为: kT AT NN D D 2 pO ◆V与PN结两边的掺杂浓度、温度、材 料的Eg有关。 2021/130 Semiconductor Physic中国科学技术大学物理系微电子专业 Semiconductor Physics 2021/1/30 13 ③接触电势差: ♦PN结的势垒高度—eVD(qVbi) 接触电势差—VD(Vbi) ♦ 对非简并半导体，室温附近时满足饱 和电离近似，接触电势为: ♦ VD与PN结两边的掺杂浓度、温度、材 料的Eg有关。 0 2 0 ln ln n D A D p i kT kT n N N V e n e n = =