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3.1晶体管的开关特性 3.12晶体三极管开关特性 2.T瞬态开关特性 v T在脉冲波形的作+ 用下,也存在电荷的 累积和消失,该过程类 似电容的充放电,所以 需要时间。 延迟时间ta:从正跳 中 沿至ic上升到0.1Ics的 时间。 上升时间tr:ic从 0.1Is到0.9Is所需的o Pe(r) @cs 时间。 ·存储时间t。:从负跳 沿开始到ic下降到 x=7 0.9Ics的时间。 下降时间t:ic从 0.9Ics下降至0.1s所图3-1-13三极管的瞬态开关特性 图3-1-14晶休三极管基区 需的时间。 少子浓度分布曲线 国大通 88 重大通信 学院•何伟 3.1 晶体管的开关特性 3.1.2 晶体三极管开关特性 2.T瞬态开关特性 T在脉冲波形的作 用下,也存在电荷的 累积和消失,该过程类 似电容的充放电,所以 需要时间。 •延迟时间td:从正跳 沿至iC上升到0.1ICS的 时间。 • 上升时间 tr : iC 从 0.1ICS到0.9ICS所需的 时间。 •存储时间ts:从负跳 沿开始到 iC 下降到 0.9ICS的时间。 • 下降时间 tf : iC 从 0.9ICS下降至0.1ICS所 需的时间
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