(1)形成过程和原理 ①扩散。 ②形成空间电荷区和内电场。 ③内电场阻止扩散运动,促进漂移运动 (2)PN结内电场电位差:硅材料约05~0.7V,锗材料 约02~03V。⑴ 形成过程和原理： ① 扩散。 ② 形成空间电荷区和内电场。 ③ 内电场阻止扩散运动，促进漂移运动。 ⑵ PN结内电场电位差：硅材料约0.5 ~ 0.7V，锗材料 约0.2 ~ 0.3V