.146. 北京科技大学学报 1996年N0.2 表ICVD方法沉积的Si村底DF的沉积条件 Tic p/Pa 气体组成/% 编号 t/h 膜厚m H,CH,O. El 445 799.8 品 1003.52.0 12 G3 755 3332.5 24 1001.40.5 8.0 在进行实验时，先给样品加5~10V范围 内的直流电压，从室温将温度降至液氮温区， 保持一定时间，直至不能再观察到通过样品中 的电流变化时，开始缓慢升温至~150℃，同 电压表 时记录温度和通过样品中的电流.升温时尽量 电极 电极 使升温速度均匀， Si村底 记录仪 2结果与讨论 对上述2个样品测得的电流一温度关系 分别如图2(a)和图3a)所示（为方便，电流值 图1实验电路示意图 用0℃时的值归一化).从图上可见，2个样品的电流-温度曲线上都有电流峰出现.我们认为 这些峰是硅衬底金刚石膜的热激发电流峰 5 a 30 1.0 2 0.5 0 100 15020025030030400 100150200250300350400 TK T/K 图2E1在从液氨温区升温时通过样品的电流一温度关系曲线 (a)s-rowm情况；(b)经过(a)中的过程后重复实验的结果 356 10 6 23 1.0 2 05 0 0 100150202030030400 100 150200250300350400 TIK T/K 图3G3在从液氨温区升温时通过样品的电流一温度关系曲线 (a)as一gowm情况；(b)经过(a)中的过程后重复实验的结果北 京 科 技 大 学 学 报 1少拓 年 M 〕 . 2 表 1〔刀D 方法沉积的 Si 衬底 D F 的沉积条件 编 号 T/ ℃ P z凭 爪t 气体组成 /% H Z 〔升 。 0 2 膜 厚 恤m 气乙Un : 司卫且 U、n r OC : 勺一 7卯 24 0 . 8 3 332 . 5 lX() 3乃 lX() 1 . 4 457 GE3l 在进 行实验 时 , 先给 样 品加 5 一 10 V 范 围 内的直 流 电压 , 从室温 将 温 度 降 至 液 氮 温 区 , 保持 一定 时 间 , 直 至不能 再观 察到通 过样 品 中 的 电流变化 时 , 开 始 缓 慢 升 温 至 一 150 ℃ , 同 时记 录温度 和通过 样 品 中的电流 . 升温 时尽 量 使 升温 速度 均匀 . 电压 表 曳鱼」 l 洛 `里鱼 一一飞 . 口 , 一 . — 5 1衬底 记 录 仪 2 结果 与讨论 对 上述 2 个 样 品测 得 的 电流 一 温 度 关 系 分 别 如 图 2 a( ) 和 图 3 a( ) 所 示 (为方 便 , 电 流 值 用 O ℃ 时 的值归一化 ) . 从图上可 见 , 2 个样品的电流 一 这些 峰是 硅衬底 金 刚石膜 的热 激发 电流峰 . 图 l 实验 电路示 意图 温度曲线上都有 电流峰出现 . 我们认为 越却牟里| 少 6 压 璐钾护思| O. 1田 3刃 今刀 图 2 ( a ) E I 在从液氮温区升温时通过样品的电流 一 1扔 〕洲) 2印 刃〕 T / K 温度关系 曲线 as 一 g 泊叭” 情 况 ; (b ) 经过 ( a) 中的过程后重复实验的结果 一比卜I L I L 气一 o 压王之ót、 之们七戈à L 担璐却里| 0K 田 , ó 期 T 一刃- t l 盈`L ó `的ì 1005 01 T巡/ K 3的 350 粼 ) ) G 3 在从 液氮温区升温时通过样品 的电流 一 温度关 系 曲线 as 一 g 旧” ” 情况 ; ( b ) 经过 a( )中的过程后重复实验的结果 尸阻l 一.旧图。 f l `L l l Ll l l LLl 120542601匕的l 暇钾护粤|