点击下载:清华大学:《模拟电子电路》课程教学资源(PPT课件讲稿)第一章 集成电路元、器件基础(1.3)双极型晶体管(BJT)
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BJT电流放大原理: 发射结正偏, C 发射区电子 基区空穴向 不断向基区 发射区的扩 扩散,形成 散可忽略。 发射极电流 E C BE 进入P区的电子少部分 与基区的空穴复合, E 形成电流IBE,多数扩 散到集电结。BJT 电流放大原理: B EC NNP E B RB E C IE IBE 进入 P区的电子少部分 与基区的空穴复合, 形成电流 IBE ,多数扩 散到集电结。 发射结正偏, 发射区电子 不断向基区 扩散,形成 发射极电流 IE。 基区空穴向 发射区的扩 散可忽略
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