3增益区的形成 o对于兼并型P型半导体和兼并型N型半导体形成 的PN结,当注入电流(或正向电压)加大到某 值后,准费米能级Ec和EF的能量间隔大于禁 带宽度,PN结里出现一个增益区(也叫有源 区)。 o实现了粒子数反转。这个区域对光子能量满足 Eg<hv<e的光子有光放大作用。半导体激 光器的辐射就发生在这个区域。3 o 对于兼并型P型半导体和兼并型N型半导体形成 的PN结，当注入电流(或正向电压)加大到某一 值后，准费米能级EfC和EfV的能量间隔大于禁 带宽度， PN结里出现一个增益区(也叫有源 区)。 o 实现了粒子数反转。这个区域对光子能量满足 Eg＜hν＜e0V 的光子有光放大作用。半导体激 光器的辐射就发生在这个区域