功率管的|值约为50-100V,考虑厄尔利电压的影响集电 极电流的方程修正如下(可将莫尔方程在Vcε=0处微分与下式微分 验证) I c& IS EXP(VBE/VT) [1-VcE/Val 另外,阝与VcE并不是完全无关,当lc过小时,由于发射结阻挡 层内载流子复合以及寄生表面复合起主要作用,致使基区传输效率 下降,造成阝减小;而当Ic过大时,由于大注入效应(Ic过大时,由 发射结注入基区的自由电子浓度过大,可与基区空穴浓度相比拟时, 外电路必须向基区补充大量的空穴,以保持基区电中性,这些空穴 将向发射区注入,导致IP增加,由P45的定义知β将减小,β与IC 的关系如下:小功率管的 |VA | 值约为50--100V，考虑厄尔利电压的影响集电 极电流 的方程修正如下（可将莫尔方程在VCE =0处微分与下式微分 验证）： IC  IS EXP（VBE/VT） [ 1-VCE/VA] 另外， 与VCE并不是完全无关，当IC过小时，由于发射结阻挡 层内载流子复合以及寄生表面复合起主要作用，致使基区传输效率 下降，造成减小；而当IC过大时，由于大注入效应（ IC过大时，由 发射结注入基区 的自由电子浓度过大，可与基区空穴浓度相比拟时， 外电路必须向基区补充 大量的空穴，以保持基区电中性，这些空穴 将向发射区注入，导致IEP增加，由P45的定义知 将减小， 与IC 的关系如下： IC  0