由上式可知：热平衡载流子浓度值与温度有关，即随温 度升高，而迅速增大，导电能力也相应增大。 例如、当T=300K时，可求得： 硅 n≈1.5×1010cm3 锗h,≈2.4×1013cm3 必须指出：热平衡载流子浓度值n(或p)的数值虽然 很大，但它仅占原子密度很小的百分数。 例如：硅的原子密度为4.96×1022cm3 说明本征半导体的导电能力是很低的。由上式可知：热平衡载流子浓度值与温度有关，即随温 度升高，而迅速增大，导电能力也相应增大。 例如 、 当 T = 300 K 时，可求得： 硅 10 3 1.5 10 − ni   cm 锗 13 3 2.4 10 − ni   cm 必须指出： 热平衡载流子浓度值ni (或pi )的数值虽然 很大，但它仅占原子密度很小的百分数。 例如：硅的原子密度为 22 3 4.96 10 −  cm 说明本征半导体的导电能力是很低的