版权©2014，版权保留，侵犯必究 BiCMOS密勒OTA M7 1:B 5 9meNPN >9m6NMOS 1 VOUT [o9 节点1： Q6 高阻抗 5 额外节点5、6 Vss fnd? 复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -0610- 唐长文复旦大学 射频集成电路设计研究小组 唐长文 版权©2014，版权保留，侵犯必究 -0610- vOUT VDD VSS M7 1:B Q9 M5 Cc 4 5 M1 Q3 Q4 M2 3 1 2 Q6 5 6 Q8 CL vIN- vIN+ BiCMOS密勒OTA g g m6NPN m6NMOS > 节点1： 高阻抗 额外节点5、6 fnd？