(3)杂质对半导体导电性的影响 掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响,一些典型的数据如下 7=300K室温下,本征硅的电子和空穴浓度为 n=D=1.4×100/cm3 本征硅的原子浓度 4.96×102/cm3 掺杂后,N型半导体中的自由电子浓度为:n=5×1016/cm3 1.1.3PN结 在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。 此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程 因浓度差 多子的扩散运动→由杂质离子形成空间电荷区 空间电荷区形成形成内电场 内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散 最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。对于P型半导体和N型半导体结合面, 离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。在空间电荷区,由于缺少多子,所以也称耗尽层。 PN结形成的过程可参阅图 LP区 ⊙。 区 N区 PN结的形成过程(动画1-3) 3.1PN结的单向导电性 N结具有单向导电性,若外加电压使电流从P区流到N区,ⅨN结呈低阻性,所以电 流大;反之是高阻性,电流小。 如果外加电压使 PN结P区的电位高于N区的电位称为加正向电压,简称正偏 PN结P区的电位低于N区的电位称为加反向电压,简称反偏4 （3） 杂质对半导体导电性的影响 掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响，一些典型的数据如下: T=300K 室温下,本征硅的电子和空穴浓度为: n = p =1.4×1010/cm3 本征硅的原子浓度: 4.96×1022 /cm3 掺杂后，N 型半导体中的自由电子浓度为： n=5×1016 /cm3 1.1.3 PN 结 在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成 N 型半导体和 P 型半导体。 此时将在 N 型半导体和 P 型半导体的结合面上形成如下物理过程: 因浓度差  多子的扩散运动→由杂质离子形成空间电荷区 ↓ 空间电荷区形成形成内电场 ↓ ↓ 内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散 最后，多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。对于 P 型半导体和 N 型半导体结合面， 离子薄层形成的空间电荷区称为 PN 结。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。 PN 结形成的过程可参阅图。 PN 结的形成过程（动画 1-3） 1.1.3.1 PN 结的单向导电性 PN 结具有单向导电性，若外加电压使电流从 P 区流到 N 区，PN 结呈低阻性，所以电 流大；反之是高阻性，电流小。 如果外加电压使： PN 结 P 区的电位高于 N 区的电位称为加正向电压，简称正偏； PN 结 P 区的电位低于 N 区的电位称为加反向电压，简称反偏