(1)C1s结合能 ,对C元素来讲，与自身成键(C-C)或与H成键(C-D)时C1s 电子的结合能约为284.6eV。(常作为结合能参考) ，当用O原子来置换掉H原子后，对每一C-0键均可引起 C1s电子结合能有约1.5±0.2eV的化学位移。C-0-X中 X(除X=NO,外)的次级影响一般较小（仕0.4eV);X=NO,可 产生0.9eV的附加位移。0的次级影响(C-C-0)一般较 小(0.2e)。 卤素元素诱导向高结合能的位移可分为初级取代效应（即 直接接在C原子上)和次级取代效应（在近邻C原子上）俩部 分。对每一取代这些位移约为： 卤素 初级位移(eV) 次级位移(eV) F 2.9 0.7 CI 1.5 0.3 Br 1.0 <0.2 @ 中园绅学我术大学 niversity of Science and Technology of China(1) C1s结合能 卤素 初级位移(eV) 次级位移(eV) F 2.9 0.7 Cl 1.5 0.3 Br 1.0 <0.2  对C元素来讲，与自身成键(C−C)或与H成键(C−H)时C1s 电子的结合能约为284.6eV。(常作为结合能参考）  当用O原子来置换掉H原子后，对每一C−O键均可引起 C1s电子结合能有约1.50.2eV的化学位移。C−O−X中 X(除X=NO2 外)的次级影响一般较小(0.4eV)；X=NO2 可 产生0.9eV的附加位移。 O的次级影响（C-C-O）一般较 小(～0.2eV)。  卤素元素诱导向高结合能的位移可分为初级取代效应(即 直接接在C原子上)和次级取代效应(在近邻C原子上)俩部 分。对每一取代这些位移约为: