5.下列化合物中，划线处的质子是否化学位移等价，为什么？(4分) (1) (2) 答：(1)NH上两个质子不等价，因为C一N键介于单键和双键之间，不能高速旋转，导 致NH上两个质子不等价 (2)等价，有对称轴 6.己知Ga从激发态4s4d跃迁至基态4s4p,产生287.424nm、294.364nm和 294.418nm三条强发射线，试用光谱项表示这三条强发射线的跃迁过程。(7分) 答：Ca基态外层电子排布为4s24p 组态1 L J 光谱项 3p1 1/211/2 1/2,3/2 32p12,32P32 3d2 1/2 2 1/2 3/2,52 32D2,32D52 △0，△L=±1，△S=0.△J=0,±1为允许跃迁 据此可知，可能的跃迁为 32P1h→32D32,32P32→32D32,32P32→32D52 第5页5．下列化合物中，划线处的质子是否化学位移等价，为什么?（4 分） （1） （2） 答：（1）NH2上两个质子不等价，因为C—N键介于单键和双键之间，不能高速旋转，导 致NH2上两个质子不等价 （2）等价，有对称轴 6. 已知 Ga 从激发态 4s2 4d1 跃迁至基态 4s2 4p1 ，产生 287.424nm、294.364nm 和 294.418nm 三条强发射线，试用光谱项表示这三条强发射线的跃迁过程。（7 分） 答：Ca基态外层电子排布为 4s2 4p1 组态 l s L S J 光谱项 3p1 1 1/2 1 1/2 1/2，3/2 3 2 P1/2，3 2 P3/2 3d1 2 1/2 2 1/2 3/2，5/2 3 2 D3/2，3 2 D5/2 △ n=0，△L=±1，△S=0，△J=0, ±1 为允许跃迁 据此可知，可能的跃迁为 3 2 P1/2→3 2 D3/2，3 2 P3/2→3 2 D3/2，3 2 P3/2→3 2 D5/2 第 5 页